IKFW60N60EH3XKSA1

IKFW60N60EH3XKSA1

IKFW60N60EH3XKSA1
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IKFW60N60EH3XKSA1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации: Новый продукт: Новинка от этого производителя.
Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) High speed hard switching 600 V, 60 A third generation TRENCHSTOP IGBT3 co-packed with Rapid 1 fast and soft antiparallel diode in a TO-247 advanced isolation.
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности 164 W
Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № IKFW60N60EH3 SP001672366
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.85 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 63 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 63 A
Производитель Infineon
Размер фабричной упаковки 240
Серия 600V TRENCHSTOP
Технология Si
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
CNHTS 8541290000
MXHTS 85412999
Метки:
Страница создана за 0.12 секунд.