MG1750S-BN4MM

Производитель: Littelfuse
Номер части: MG1750S-BN4MM
Нормоупаковка: 100 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 100

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
MG1750S-BN4MM Лист данных	скачать

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 50A IGBT

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	320 W
Вес изделия	160 g
Вид монтажа	Screw
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Half Bridge
Максимальная рабочая температура	+ 125 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1700 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	75 A
Продукт	IGBT Silicon Modules
Производитель	Littelfuse
Серия	MG1750S-BN4MM
Ток утечки затвор-эмиттер	400 nA
Торговая марка	Littelfuse
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	Package S

Метки: