FD1200R17KE3-K_B2

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: FD1200R17KE3-K_B2
Нормоупаковка: 2 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Окончание срока эксплуатации: Изделие признано устаревшим и будет снято с производства.

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 2

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
FD1200R17KE3-K_B2 Лист данных	скачать

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.7KA

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single Dual Collector Dual Emitter
Максимальная рабочая температура	+ 125 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1700 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	1700 A
Продукт	IGBT Silicon Modules
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	2
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка / блок	IHM130

Метки: