STK541UC62K-E

STK541UC62K-E

STK541UC62K-E
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: STK541UC62K-E
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
STK541UC62K-E Лист данных скачать
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3PHASE INVERTER HIC
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности 22 W
Вид монтажа Through Hole
Категория продукта Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация 3-Phase
Максимальная рабочая температура + 100 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер -
Минимальная рабочая температура - 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.4 V, 1.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 10 A
Продукт IGBT Silicon Modules
Производитель ON Semiconductor
Ток утечки затвор-эмиттер 118 uA
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка Tube
Упаковка / блок SIP-23
Метки:
Страница создана за 0.144 секунд.