Ничего не куплено!
FT150R12KE3_B5
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: FT150R12KE3_B5
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: FT150R12KE3_B5
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 200A
| Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |
| Высота | 17 mm |
| Длина | 107.5 mm |
| Подкатегория | IGBTs |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Ширина | 45 mm |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Triple |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 200 A |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Производитель | Infineon |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | Econo 2 |
| CAHTS | 8541290000 |
| CNHTS | 8541290000 |
| ECCN | EAR99 |
| JPHTS | 8541290100 |
| MXHTS | 85412999 |
| TARIC | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
Страница создана за 0.222 секунд.