Ничего не куплено!
FZ1000R33HL3
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: FZ1000R33HL3
Нормоупаковка: 2 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: FZ1000R33HL3
Нормоупаковка: 2 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 3.3KV 1KA
| Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 50 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 3300 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 1000 A |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Производитель | Infineon |
| Размер фабричной упаковки | 2 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | IHVB130 |
Страница создана за 0.136 секунд.