Ничего не куплено!
APTGF50H60T3G
Производитель: Microsemi
Номер части: APTGF50H60T3G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: APTGF50H60T3G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT
| Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Вид монтажа | Screw |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Quad |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.1 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 65 A |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Производитель | Microsemi |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Торговая марка | Microsemi |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | SP-3 |
Страница создана за 0.168 секунд.