BSM50GP60G

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BSM50GP60G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
BSM50GP60G Лист данных	скачать

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A PIM

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	250 W
Вид монтажа	Screw
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Hex
Максимальная рабочая температура	+ 125 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.2 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	70 A
Продукт	IGBT Silicon Modules
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	10
Ток утечки затвор-эмиттер	300 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка / блок	EconoPIM3

Метки: