Ничего не куплено!
VS-GB50YF120N
Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: VS-GB50YF120N
Нормоупаковка: 12 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: VS-GB50YF120N
Нормоупаковка: 12 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| VS-GB50YF120N Лист данных | скачать |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200 Volt 50 Amp
| Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |
| Вид монтажа | Screw |
| Другие названия товара № | GB50YF120N |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Quad |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 66 A |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Производитель | Vishay |
| Размер фабричной упаковки | 12 |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | ECONO2 4PAK |
Страница создана за 0.15 секунд.