IXYN80N90C3H1

Производитель: IXYS
Номер части: IXYN80N90C3H1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
IXYN80N90C3H1 Лист данных	скачать

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 900V 70A 2.7V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Вид монтажа	Screw
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Коммерческое обозначение	XPT
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	900 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	115 A
Продукт	IGBT Silicon Modules
Производитель	IXYS
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	SOT-227

Метки: