MG12300D-BN3MM

Производитель: Littelfuse
Номер части: MG12300D-BN3MM
Нормоупаковка: 60 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 60

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
MG12300D-BN3MM Лист данных	скачать

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A Dual 150TVj

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	1450 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 125 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	3.2 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	450 A
Продукт	IGBT Silicon Modules
Производитель	Littelfuse
Размер фабричной упаковки	60
Серия	Dual IGBT
Ток утечки затвор-эмиттер	400 uA
Торговая марка	Littelfuse
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	Package D

Метки: