BSM35GP120

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BSM35GP120
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
BSM35GP120 Лист данных	скачать

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 35A PIM

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	230 W
Вид монтажа	Screw
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Hex
Максимальная рабочая температура	+ 125 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	45 A
Продукт	IGBT Silicon Modules
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	10
Ток утечки затвор-эмиттер	300 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка / блок	EconoPIM2

Метки: