FP50R06W2E3

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: FP50R06W2E3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
FP50R06W2E3 Лист данных	скачать

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 50A

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	175 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	IGBT-Inverter
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.45 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	65 A
Продукт	IGBT Silicon Modules
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	15
Ток утечки затвор-эмиттер	400 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tray
Упаковка / блок	Module

Метки: