MIXA61H1200ED

Производитель: IXYS
Номер части: MIXA61H1200ED
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT XPT Module H Bridge

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	290 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Коммерческое обозначение	XPT
Конфигурация	Half Bridge
Максимальная рабочая температура	+ 125 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.8 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	85 A
Продукт	IGBT Silicon Modules
Производитель	IXYS
Размер фабричной упаковки	6
Серия	MIXA61H1200
Ток утечки затвор-эмиттер	500 nA
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	E2-Pack

Метки: