FF650R17IE4

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: FF650R17IE4
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
FF650R17IE4 Лист данных	скачать

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 930A

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	4.15 kW
Вид монтажа	Screw
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1700 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.45 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	930 A
Продукт	IGBT Silicon Modules
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	3
Ток утечки затвор-эмиттер	400 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	PRIME2

Метки: