FZ750R65KE3

FZ750R65KE3

FZ750R65KE3
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: FZ750R65KE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Время выполнения производителем: 53 недель
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
FZ750R65KE3 Лист данных скачать
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 6500V 750A
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Подкатегория IGBTs
Технология Si
Тип продукта IGBT Modules
Pd - рассеивание мощности 3000 kW
Вид монтажа Chassis Mount
Другие названия товара № FZ750R65KE3NOSA1 SP000555604
Категория продукта Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 125 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура - 50 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 6500 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 3 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 750 A
Продукт IGBT Silicon Modules
Производитель Infineon
Размер фабричной упаковки 1
Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tray
Упаковка / блок Module
CAHTS 8541290000
CNHTS 8541290000
ECCN EAR99
JPHTS 8541290100
KRHTS 8541299000
MXHTS 85412999
TARIC 8541290000
USHTS 8541290095
Метки:
Страница создана за 0.148 секунд.