Ничего не куплено!
APTGF50VDA120T3G
Производитель: Microsemi
Номер части: APTGF50VDA120T3G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Окончание срока эксплуатации: Изделие признано устаревшим и будет снято с производства.
Номер части: APTGF50VDA120T3G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Окончание срока эксплуатации: Изделие признано устаревшим и будет снято с производства.Цена: по запросу
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT
| Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 312 W |
| Вид монтажа | Screw |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 3.2 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 70 A |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Производитель | Microsemi |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | Microsemi |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | SP-3 |
Страница создана за 0.155 секунд.