Ничего не куплено!
Описание | действие |
FSB32560 Лист данных | скачать |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |
Pd - рассеивание мощности | 29 W |
Вес изделия | 13.860 g |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
Конфигурация | 3-Phase |
Максимальная рабочая температура | + 125 C |
Минимальная рабочая температура | - 20 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.15 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 25 A |
Продукт | IGBT Silicon Modules |
Производитель | Fairchild Semiconductor |
Размер фабричной упаковки | 60 |
Серия | FSB32560 |
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | SPMBA-027 |