Ничего не куплено!
FD1200R17KE3-K
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: FD1200R17KE3-K
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: FD1200R17KE3-K
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.6KA
| Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single Dual Collector Dual Emitter |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1700 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 1600 A |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Производитель | Infineon |
| Размер фабричной упаковки | 2 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | IHM130 |
Страница создана за 0.136 секунд.