IXGT72N60A3

IXGT72N60A3

IXGT72N60A3
Производитель: IXYS
Номер части: IXGT72N60A3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Время выполнения производителем: 21 недель
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
IXGT72N60A3 Лист данных открыть
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 600V IGBTs
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Подкатегория IGBTs
Технология Si
Тип продукта IGBT Modules
Вес изделия 4 g
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура - 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.35 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 75 A
Продукт IGBT Silicon Modules
Производитель IXYS
Размер фабричной упаковки 30
Серия IXGT72N60
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка IXYS
Упаковка Bulk
Упаковка / блок TO-268-3
CAHTS 8541290000
CNHTS 8541290000
ECCN EAR99
JPHTS 8541290100
KRHTS 8541299000
MXHTS 85412999
TARIC 8541290000
USHTS 8541290095
Метки:
Страница создана за 0.179 секунд.