Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| IXGT72N60A3 Лист данных | открыть |
| Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |
| Подкатегория | IGBTs |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Вес изделия | 4 g |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.35 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 75 A |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Производитель | IXYS |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | IXGT72N60 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-268-3 |
| CAHTS | 8541290000 |
| CNHTS | 8541290000 |
| ECCN | EAR99 |
| JPHTS | 8541290100 |
| KRHTS | 8541299000 |
| MXHTS | 85412999 |
| TARIC | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |