Ничего не куплено!
Описание | действие |
FS400R07A1E3_H5 Лист данных | скачать |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |
Pd - рассеивание мощности | 750 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Другие названия товара № | SP000864748 |
Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
Конфигурация | 3-Phase |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 500 A |
Продукт | IGBT Silicon Modules |
Производитель | Infineon |
Размер фабричной упаковки | 2 |
Серия | FS400R07A1 |
Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка / блок | HybridPack1 |