Ничего не куплено!
STGIPS10K60A2
Производитель: STMicroelectronics
Номер части: STGIPS10K60A2
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: STGIPS10K60A2
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT & Power Bipolar
| Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 33 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | 3-Phase |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.1 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 10 A |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | SDIP-25L |
Страница создана за 2.706 секунд.