Ничего не куплено!
MWI50-12A7T
Производитель: IXYS
Номер части: MWI50-12A7T
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: MWI50-12A7T
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| MWI50-12A7T Лист данных | скачать |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 1200V
| Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |
| Вид монтажа | Screw |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Hex |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 85 A |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Производитель | IXYS |
| Серия | MWI50 |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | E2 |
Страница создана за 2.165 секунд.