A1P35S12M3-F

Производитель: STMicroelectronics
Номер части: A1P35S12M3-F
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Новый продукт: Новинка от этого производителя.

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
A1P35S12M3-F Лист данных	скачать

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Технология	Si
Pd - рассеивание мощности	250 W
Вид монтажа	Press Fit
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Коммерческое обозначение	ACEPACK
Конфигурация	Sixpack
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.95 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	35 A
Продукт	IGBT Silicon Modules
Производитель	STMicroelectronics
Размер фабричной упаковки	18
Серия	A1P35S12M3-F
Ток утечки затвор-эмиттер	500 nA
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка / блок	ACEPACK1
CNHTS	8541290000
MXHTS	85412999

Метки: