Ничего не куплено!
BSM600C12P3G201
Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: BSM600C12P3G201
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Новый продукт: Новинка от этого производителя.
Номер части: BSM600C12P3G201
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Новый продукт: Новинка от этого производителя.Цена: по запросу
| Описание | действие |
| BSM600C12P3G201 Лист данных | скачать |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V Vdss; 576A ID SiC Mod; SICSTD02
| Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |
| Технология | SiC |
| Pd - рассеивание мощности | 1570 W |
| Вид монтажа | Screw |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Продукт | IGBT Silicon Carbide Modules |
| Производитель | ROHM Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 4 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка | Tray |
Страница создана за 0.156 секунд.