Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| BSM400C12P3G202 Лист данных | скачать |
| Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |
| Технология | SiC |
| Pd - рассеивание мощности | 1570 W |
| Вид монтажа | Screw |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Продукт | IGBT Silicon Carbide Modules |
| Производитель | ROHM Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 4 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка | Tray |