NJVNJD35N04T4G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NJVNJD35N04T4G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
NJVNJD35N04T4G Лист данных	скачать

Транзисторы Дарлингтона NPN DARLINGTON Pwr TRAN

Транзисторы Дарлингтона
Pd - рассеивание мощности	45 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Транзисторы Дарлингтона
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	2000
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный ток отсечки коллектора	250 uA
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	700 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	350 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	4 A
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	90 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	NJD35N04
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	DPAK

Метки: