Ничего не куплено!
2N6667G
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: 2N6667G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: 2N6667G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| 2N6667G Лист данных | скачать |
Транзисторы Дарлингтона 10A 60V Bipolar Power PNP
| Транзисторы Дарлингтона | |
| Pd - рассеивание мощности | 65 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Транзисторы Дарлингтона |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 1000 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
| Максимальный ток отсечки коллектора | 1000 uA |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 10 A |
| Полярность транзистора | PNP |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | 2N6667 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
Страница создана за 0.162 секунд.