NJVMJD32CT4G

NJVMJD32CT4G

NJVMJD32CT4G
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NJVMJD32CT4G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
NJVMJD32CT4G Лист данных скачать
Транзисторы Дарлингтона BIP DPAK PNP 3A 100V TR
Транзисторы Дарлингтона
Pd - рассеивание мощности 15 W
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Транзисторы Дарлингтона
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe 25
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный ток отсечки коллектора 50 uA
Минимальная рабочая температура - 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 3 A
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 3 MHz
Производитель ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки 2500
Серия MJD32C
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка Reel
Упаковка / блок DPAK
Метки:
Страница создана за 0.168 секунд.