BSP 51 E6327

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BSP 51 E6327
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Транзисторы Дарлингтона NPN Silicn Darlingtn TRANSISTOR

Транзисторы Дарлингтона
Pd - рассеивание мощности	1.5 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	BSP51E6327HTSA1 SP000011127
Категория продукта	Транзисторы Дарлингтона
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	1000
Конфигурация	Single Dual Collector
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальная рабочая частота	200 MHz
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Максимальный ток отсечки коллектора	10 uA
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	1 A
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	200 MHz
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	BSP51
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-223

Метки: