BLF6G20LS-110,112

Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: BLF6G20LS-110,112
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
BLF6G20LS-110,112 Лист данных	скачать

РЧ МОП-транзисторы LDMOS TNS

РЧ МОП-транзисторы
Id - непрерывный ток утечки	29 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	160 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	65 V
Vgs - напряжение затвор-исток	13 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Выходная мощность	25 W
Другие названия товара №	BLF6G20LS-110
Категория продукта	РЧ МОП-транзисторы
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	10.5 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	NXP
Рабочая частота	1800 MHz to 2000 MHz
Размер фабричной упаковки	60
Технология	Si
Тип	RF Power MOSFET
Торговая марка	NXP Semiconductors
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	SOT-502B-3
Усиление	19 dB

Метки: