Ничего не куплено!
Дискретные полупроводниковые модули | |
Id - непрерывный ток утечки | 215 A |
Pd - рассеивание мощности | 5 kW |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 45 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | Screw |
Время нарастания | 14 ns |
Время спада | 55 ns |
Категория продукта | Дискретные полупроводниковые модули |
Коммерческое обозначение | POWER MOS 7 |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | N-Channel |
Продукт | Power MOSFET Modules |
Производитель | Microsemi |
Типичное время задержки выключения | 140 ns |
Типичное время задержки при включении | 18 ns |
Торговая марка | Microsemi |
Упаковка / блок | SP-6 |