Ничего не куплено!
APT10M11JVRU2
Производитель: Microsemi
Номер части: APT10M11JVRU2
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: APT10M11JVRU2
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Дискретные полупроводниковые модули Power Module - Mosfet
| Дискретные полупроводниковые модули | |
| Id - непрерывный ток утечки | 142 A |
| Pd - рассеивание мощности | 450 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Screw |
| Время нарастания | 48 ns |
| Время спада | 9 ns |
| Категория продукта | Дискретные полупроводниковые модули |
| Коммерческое обозначение | POWER MOS V, ISOTOP |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Продукт | Power MOSFET Modules |
| Производитель | Microsemi |
| Типичное время задержки выключения | 51 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16 ns |
| Торговая марка | Microsemi |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
Страница создана за 2.784 секунд.