Ничего не куплено!
APTC60HM35T3G
Производитель: Microsemi
Номер части: APTC60HM35T3G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: APTC60HM35T3G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Дискретные полупроводниковые модули Power Module - Coolmos
| Дискретные полупроводниковые модули | |
| Id - непрерывный ток утечки | 72 A |
| Pd - рассеивание мощности | 416 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 35 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.1 V |
| Вид монтажа | Screw |
| Время нарастания | 30 ns |
| Время спада | 84 ns |
| Категория продукта | Дискретные полупроводниковые модули |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Продукт | Power MOSFET Modules |
| Производитель | Microsemi |
| Типичное время задержки выключения | 283 ns |
| Типичное время задержки при включении | 21 ns |
| Торговая марка | Microsemi |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | SP-32 |
Страница создана за 0.157 секунд.