Ничего не куплено!
HMC-ALH444
Производитель: Analog Devices / Hittite
Номер части: HMC-ALH444
Нормоупаковка: 50 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: HMC-ALH444
Нормоупаковка: 50 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
РЧ-усилитель GaAs HEMT WBand lo Noise amp 1 - 12 GHz
| РЧ-усилитель | |
| NF - коэффициент шумов | 1.75 dB |
| OIP3 - перехват составляющих третьего порядка | 28 dBm |
| P1dB - точка сжатия | 19 dBm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Входные потери на отражение | 10 dB |
| Категория продукта | РЧ-усилитель |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Максимальная рабочая температура | + 85 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Производитель | Analog Devices Inc. |
| Рабочая частота | 12 GHz |
| Рабочее напряжение питания | 5 V |
| Рабочий ток источника питания | 55 mA |
| Серия | HMC-ALH444G |
| Тестовая частота | - |
| Технология | GaAs |
| Тип | RF Amplifier |
| Тип усилителя | LNA |
| Торговая марка | Analog Devices / Hittite |
| Упаковка | Gel Pack |
| Упаковка / блок | Die |
| Усиление | 17 dB |
| Частотный диапазон | 1 GHz to 12 GHz |
Страница создана за 0.146 секунд.