Ничего не куплено!
MRF5812LF
Производитель: Advanced Semiconductor, Inc.
Номер части: MRF5812LF
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: MRF5812LF
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| MRF5812LF Лист данных | скачать |
РЧ биполярные транзисторы RF Transistor
| РЧ биполярные транзисторы | |
| Pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 50 |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 15 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 200 mA |
| Полярность транзистора | NPN |
| Производитель | Advanced Semiconductor, Inc. |
| Рабочая частота | 1 GHz |
| Технология | Si |
| Тип транзистора | Bipolar |
| Торговая марка | Advanced Semiconductor, Inc. |
| Упаковка | Tray |
| Упаковка / блок | SOIC-8 |
Страница создана за 0.135 секунд.