Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| BFU630F,115 Лист данных | скачать |
| РЧ биполярные транзисторы | |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 90 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 5.5 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 mA |
| Полярность транзистора | NPN |
| Производитель | NXP |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип транзистора | Bipolar |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-343F |