Ничего не куплено!
Описание | действие |
BFG10/X,215 Лист данных | скачать |
РЧ биполярные транзисторы | |
Pd - рассеивание мощности | 400 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 25 |
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 8 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2.5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 250 mA |
Полярность транзистора | NPN |
Производитель | NXP |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип транзистора | Bipolar |
Торговая марка | NXP Semiconductors |
Упаковка | Reel |
Упаковка / блок | SOT-143 |