Ничего не куплено!
BFP 640 H6327
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BFP 640 H6327
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: BFP 640 H6327
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
РЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTOR
| РЧ биполярные транзисторы | |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | BFP640H6327XT BFP640H6327XTSA1 SP000745306 |
| Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 110 |
| Конфигурация | Single Dual Emitter |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 4 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 1.2 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 50 mA |
| Полярность транзистора | NPN |
| Производитель | Infineon |
| Рабочая частота | 40 GHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | BFP640 |
| Технология | SiGe |
| Тип транзистора | Bipolar |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-343 |
Страница создана за 0.15 секунд.