Ничего не куплено!
BFU710F,115
Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: BFU710F,115
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: BFU710F,115
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| BFU710F,115 Лист данных | скачать |
РЧ биполярные транзисторы NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
| РЧ биполярные транзисторы | |
| Pd - рассеивание мощности | 136 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 200 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 2.8 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 1 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 10 mA |
| Производитель | NXP |
| Рабочая частота | 110 GHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | SiGe |
| Тип транзистора | Bipolar |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-343 |
Страница создана за 0.156 секунд.