Ничего не куплено!
BFR 35AP E6327
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BFR 35AP E6327
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: BFR 35AP E6327
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| BFR 35AP E6327 Лист данных | скачать |
РЧ биполярные транзисторы NPN Silicon RF TRANSISTOR
| РЧ биполярные транзисторы | |
| Pd - рассеивание мощности | 280 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | BFR35APE6327HTSA1 BFR35APE6327XT SP000011060 |
| Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.045 A |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 15 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2.5 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Производитель | Infineon |
| Рабочая частота | 5000 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | BFR35 |
| Технология | Si |
| Тип транзистора | Bipolar |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-23 |
Страница создана за 0.129 секунд.