TPV8100B

Производитель: Advanced Semiconductor, Inc.
Номер части: TPV8100B
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Время выполнения производителем: 10 недель

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
TPV8100B Лист данных	скачать

РЧ биполярные транзисторы RF Transistor

РЧ биполярные транзисторы
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	30
Подкатегория	Transistors
Тип	RF Bipolar Power
Тип продукта	RF Bipolar Transistors
Pd - рассеивание мощности	215 W
Вид монтажа	Screw Mount
Категория продукта	РЧ биполярные транзисторы
Максимальная рабочая температура	+ 200 C
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	30 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	4 V
Непрерывный коллекторный ток	12 A
Полярность транзистора	NPN
Производитель	Advanced Semiconductor, Inc.
Рабочая частота	860 MHz
Технология	Si
Тип транзистора	Bipolar Power
Торговая марка	Advanced Semiconductor, Inc.
Упаковка	Tray
Упаковка / блок	398-03
CAHTS	8541210000
CNHTS	8541210000
ECCN	EAR99
JPHTS	8541210101
KRHTS	8541219000
MXHTS	85412101
TARIC	8541210000
USHTS	8541210095

Метки: