Ничего не куплено!
BFU730LXZ
Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: BFU730LXZ
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: BFU730LXZ
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| BFU730LXZ Лист данных | скачать |
РЧ биполярные транзисторы SiGe:C MMIC Transistor
| РЧ биполярные транзисторы | |
| Pd - рассеивание мощности | 160 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Выходная мощность | 11.7 dBm |
| Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 205 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 30 mA |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 10 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 1.3 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 5 mA |
| Полярность транзистора | NPN |
| Производитель | NXP |
| Рабочая частота | 53 GHz |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Технология | GaN Si |
| Тип транзистора | Bipolar Wideband |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-883C-3 |
Страница создана за 0.151 секунд.