Ничего не куплено!
BLF147,112
Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: BLF147,112
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: BLF147,112
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
РЧ МОП-транзисторы RF DMOS 150W VHF
| РЧ МОП-транзисторы | |
| Id - непрерывный ток утечки | 25 A |
| Pd - рассеивание мощности | 220 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 150 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 65 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Выходная мощность | 150 W |
| Другие названия товара № | BLF147 |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | NXP |
| Рабочая частота | 28 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 40 |
| Технология | Si |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SOT-121B-4 |
| Усиление | 19 dB |
Страница создана за 0.151 секунд.