BLF6G15LS-500H,112

Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: BLF6G15LS-500H,112
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
BLF6G15LS-500H,112 Лист данных	скачать

РЧ МОП-транзисторы LDMOS TRANS DIGITAL 1.5 GHZ

РЧ МОП-транзисторы
Id - непрерывный ток утечки	45 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	193 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	13 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.8 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Выходная мощность	250 W
Категория продукта	РЧ МОП-транзисторы
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	NXP
Рабочая частота	1.5 GHz
Размер фабричной упаковки	20
Тип	RF Power MOSFET
Торговая марка	NXP Semiconductors
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	SOT-1135B-3
Усиление	15 dB

Метки:

Страница создана за 0.149 секунд.