Ничего не куплено!
BLF6G10-45,112
Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: BLF6G10-45,112
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Окончание срока эксплуатации: Изделие признано устаревшим и будет снято с производства.
Номер части: BLF6G10-45,112
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Окончание срока эксплуатации: Изделие признано устаревшим и будет снято с производства.Цена: по запросу
| Описание | действие |
| BLF6G10-45,112 Лист данных | скачать |
РЧ МОП-транзисторы LDMOS TNS
| РЧ МОП-транзисторы | |
| Id - непрерывный ток утечки | 13 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 65 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 13 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | BLF6G10-45 |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | NXP |
| Размер фабричной упаковки | 60 |
| Технология | Si |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SOT-608A-3 |
Страница создана за 0.168 секунд.