Ничего не куплено!
BF1101WR,115
Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: BF1101WR,115
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: BF1101WR,115
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| BF1101WR,115 Лист данных | скачать |
РЧ МОП-транзисторы N-CH DUAL GATE 7V
| РЧ МОП-транзисторы | |
| Id - непрерывный ток утечки | 30 mA, 30 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | - |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 7 V, 7 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, 16 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | BF1101WR T/R |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | NXP |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип | RF Small Signal MOSFET |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-343R-4 |
Страница создана за 0.165 секунд.