Ничего не куплено!
MRF6V2150NBR1
Производитель: NXP / Freescale
Номер части: MRF6V2150NBR1
Нормоупаковка: 500 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: MRF6V2150NBR1
Нормоупаковка: 500 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| MRF6V2150NBR1 Лист данных | скачать |
РЧ МОП-транзисторы VHV6 150W
| РЧ МОП-транзисторы | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 110 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | - 0.5 V, 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.62 V |
| Вес изделия | 2 g |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Выходная мощность | 150 W |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | NXP |
| Рабочая частота | 220 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | MRF6V2150N |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Торговая марка | NXP / Freescale |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | TO-272 WB EP |
| Усиление | 25 dB |
Страница создана за 0.145 секунд.