Ничего не куплено!
Описание | действие |
MRF8S18120HSR3 Лист данных | скачать |
РЧ МОП-транзисторы | |
Id - непрерывный ток утечки | 800 mA |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | - 500 mV, + 65 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
Вес изделия | 4.763 g |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Выходная мощность | 72 W |
Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
Количество каналов | 1 Channel |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Полярность транзистора | N-Channel |
Производитель | NXP |
Рабочая частота | 1.805 GHz to 1.88 GHz |
Размер фабричной упаковки | 250 |
Серия | MRF8S18120H |
Тип | RF Power MOSFET |
Торговая марка | NXP / Freescale |
Упаковка | Reel |
Упаковка / блок | NI-780 |
Усиление | 18.2 dB |