Ничего не куплено!
PTFA212001E V4 R250
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: PTFA212001E V4 R250
Нормоупаковка: 250 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: PTFA212001E V4 R250
Нормоупаковка: 250 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
РЧ МОП-транзисторы Hi Pwr RF LDMOS FET 200 W 2110-2170 MHz
| РЧ МОП-транзисторы | |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.6 A |
| Pd - рассеивание мощности | 625 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 0.05 Ohms at 10 V |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 65 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Выходная мощность | 200 W |
| Другие названия товара № | FA212001EV4R25XT PTFA212001EV4R250XTMA1 SP000393370 |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Infineon |
| Рабочая частота | 2170 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 250 |
| Серия | PTFA212001 |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | H-36260-2 |
| Усиление | 15.8 dB |
Страница создана за 0.153 секунд.